[高耐压开关型PTC材料的研究原料TiO]二及A位取代对瓷体显微结构及电性能的影响祝忠勇

【高耐压开关型PTC材料的研究原料TiO】二及A位取代对瓷体显微结构及电性能的影响祝忠勇.pdf摘 要 BTO基PTC材料作为一种功能半导体阴瓷材料,由于 与有广泛的应用领域和重大的商也价值,近十儿年来得到了远迷 的发展,高耐压开关型PTC材料是其中的一个重要发展方向。本文 从我国国传出发,并在前人基础上,选择对PTC材料影响最大 的料T:02A位取代作为主要研究内实,并结合对混磨工艺 的研究,通过运用多种现代测试分析手段,对高耐压关型 PTC材料进行了研究。结果表明死料Ti02及A位取代对PTC材料 的显微结构及电性能均有显著的影响,并获得了它们自的 影响规律及原料下产地和A位取代量的最佳选择.手段对国产三种常用下02料进行了理化分析,得出了它们答自 不同的晶型分布.工作提供了宝贵的经验.4.颗粒度.A位取代6.细晶作用7.混磨方式 8.磨损量9.显微义结构10.电性能 华南理工大学学位论文稿纸 第 页小结-(二)A位取代的研究 的单独A位取代对瓷体显微结构—- 及电性转的影响 a(a的单独4位取代对显微文结构的影响-4l b.Cc的单独A位取代对电性能的影响Pb.Sr复合A位取代对瓷体显微结构 及电性转的影响— a:Pb.Sr复合A位取代对显微结构的影响-4] b.Pb.s复合A位取代对电性能的影响 4 小结一一 混磨工艺的研究 -52 α.混磨后的粉料之颗粒细度分析一 - b.不同混磨方式对瓷体显微结构一.一 -.54 体收缩率及比重的影响(不同混磨方式对PTC材料电性转的影响—-S d.小结 五.总结 六.
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