【低温烧结的PZTBFBCW系压电陶瓷】姜知水.pdf
本文是在文献[26]的基出上,进一步研究了低遇 烧结PZT一BF一BCW>3在电陶光的相界情光以及 电性够随2/T比的变化规律。得到了烧结温被低,性较好的配方:0Po(Zx0T0.03+0BF+0.DL BCw+05wt MnD+8wt oCuD.其主要指村,为:烧结 温授920℃,体温时间α5子时,kp=45 ,Qm=120,3/2。=1050。同时还研究了添加物Sr0及Ce02对该3,统烧结及电性能的影响,发观加入SrO可显著提高了,统的介电常数,添加CeO可将了统的烧结温接普遍 降到950°℃以下,且性能良好。
Zr下比的关了,。分外,将对这了低温烂结了,统进 行添加改性,常望能进一步降低燃结温度,同时 使性得到改善.i川i
2.Zr/Ti比对电性能的影响一 3.Sr取代对烧结温枝的影响一 四.Ce02的添加对相界、显微结构及电性能的影响一一43 1.CeO添加量对电性够的影响-— 2.相界一— 3.Zr/Ti比对电性能的影响一.-4 4.CeO的漆加对烧结温后的影响 -48 卫.结论—一 — Ⅱ.