【硅衬底SrNbxTi1-xO3淀积膜热敏特性研究】袁骏.pdf
分类号 学校代码:10561 UDC 密级 学 号:S96318 华南理工大学学位论文 硅衬底SrNbTi,-xO淀积膜热敏敏特性研究(广东省九五攻关项目的部分研究内容)袁骏 指导教师姓名 黄美浅副教授李观启教授 华南理工大学应用物理系 申请学位级别 工学硕士专业名称微电子学与固体电子学 论文提交日期1999_ 论文答辩日期1999.
4直流电压下电阻一温度特性测试4元件交流特性的测试4测试装置 4元件阻抗的模IZ与电容值C的计算 4本章小结 第五章 热敏传感器的电学特性5热敏电阻器的伏一安特性 5热敏电阻器电阻一温度特性的线性化 5线性化问题的提出 5实现线性化的步骤 5本章小结 第六章实验结果与分析6元件直流特性 6电流与温度关系6I-v特性6热敏电阻一温度关系 6热敏电阻一温度关系材料常数B,和电阻温度系数α,的计 算.
摘要 摘要 本研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制 备一层钛锯酸锶薄膜,然后蒸铝和利用光刻技术制作铝电极,形成AI/SrNb,Tix O/SiO2/Si结构,成为平面型SrNbTiO薄膜电阻结构和MIS结构并联的元 件。我们制备了不同电极距离和不同图形的平面电阻型样品,从理论和实验上 对其热敏特性和电容效应进行研究.本征钛酸锶的禁带宽度为3eV,但实验结果表明,经掺锯后的SrNbTix O薄膜在禁带内产生了杂质能级,从而对温度有良好的敏感特性.本文首先介绍了温度和热敏传感器的基本理论,然后对SrNbTiO薄膜 的热敏特性进行研究。