【新型POSFET传感器的研究~★】盛晓清.pdf

目摘要一、引言.二、新型POSFET传感器的结构分析 2-1.聚酰亚氨(PI)的性能与特点 2-2.新型POSFET结构的提出-3.新型POSFET声学结构的分析 2-4.新型POSFET电学结构的分析三、新型POSFET传感骼的设计与制作 3-1.新型POSFET的设计.-2.新型POSFET的制作工艺四、测试与分析 -1.测试装置与设备 4-2.后续信号处理电路 4-3.测量结果4-4.数据处理和实验结果分析

一、引言现代科学技术的主要内容是以电子计算机替代并扩充人类的脑力劳动,其关键又在于信息的传输与控制。传感器是构成现代信息技术系统的主要内容之一,它作为信息技术的一脉,正越来越广泛地普及发展到我国的各行各业各个领域。而压电传感器具有体积小、重量轻、结构简单、工作可靠、固有频率高、灵敏度和信噪比较高等独特优点,从而在工业、医疗、检测以及家用电器等方面得到了广泛应用[1].在压电传感器中,以压电陶瓷、压电晶体为基本压电元件的各类器件和装置已相当成熟,在许多领域也都有其重要应用。

和平坦的频率响应.对PVDF压电薄膜的研究工作虽然早在70年代中期就开展了[88],但迄今为止,只有几篇文献报道了有关POSFET传感器的研究和应用,我们认为存在这种现象的原因有以下二方面:①有关的工艺技术还没过关。虽然硅器件的加工技术已很成熟,但在与PVDF膜的结合上仍存在相当多的困难,如:PVDF膜的粘贴、腐蚀及微细加工等技术尚未得到解决。②该类器件涉及专业领域较广。如:压电学、机械振动学、声学、电子学等,特别是需要熟练掌握半导体集成电路的制造技术,这在一定程度上限制了它的发展。