[新型POSFET传感器的研究~★]盛晓清

【新型POSFET传感器的研究~★】盛晓清.pdf目 摘要 一、引言.二、新型POSFET传感器的结构分析 2-1.聚酰亚氨(PI)的性能与特点 2-2.新型POSFET结构的提出-3.新型POSFET声学结构的分析 2-4.新型POSFET电学结构的分析 三、新型POSFET传感骼的设计与制作 3-1.新型POSFET的设计.-2.新型POSFET的制作工艺 四、测试与分析 -1.测试装置与设备 4-2.后续信号处理电路 4-3.测量结果4-4.数据处理和实验结果分析一、引 言 现代科学技术的主要内容是以电子计算机替代并扩充人类的脑 力劳动,其关键又在于信息的传输与控制。传感器是构成现代信息 技术系统的主要内容之一,它作为信息技术的一脉,正越来越广泛 地普及发展到我国的各行各业各个领域。而压电传感器具有体积小、重量轻、结构简单、工作可靠、固有频率高、灵敏度和信噪比较高 等独特优点,从而在工业、医疗、检测以及家用电器等方面得到了 广泛应用[1].在压电传感器中,以压电陶瓷、压电晶体为基本压电元件的各 类器件和装置已相当成熟,在许多领域也都有其重要应用。和平坦的频率响应.对PVDF压电薄膜的研究工作虽然早在70年代中期就开展了[88],但迄今为止,只有几篇文献报道了有关POSFET传感器的研究和应用,我们认为存在这种现象的原因有以下二方面:①有关的工艺技术还 没过关。虽然硅器件的加工技术已很成熟,但在与PVDF膜的结合上 仍存在相当多的困难,如:PVDF膜的粘贴、腐蚀及微细加工等技术 尚未得到解决。②该类器件涉及专业领域较广。如:压电学、机械 振动学、声学、电子学等,特别是需要熟练掌握半导体集成电路的 制造技术,这在一定程度上限制了它的发展。
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