【高频写电流发热引起的GMR磁头读和写问题的研究】陶峰.pdf

分类号学校代码:10561 密级学号:UDC 华南理工大学工程硕士毕业论文高频写电流发热引起的GMR磁头读和写问题的研究陶峰指导教师:翁文华副教授(华南理工大学) 沈勇博士(新科磁电厂) 申请学位级别:工程硕士专业名称:电子信息与工程论文提交日期:11,2000 论文答辩日期:12.

华南理工大学工程硕士学位论文摘要随着计算机硬盘的存储密度的不断提高,GMR磁头读写频率也相应不断提高。随着写电流频率的不断升高,其对写线圈产生的焦耳热以及其在写极尖里产生的涡流所产生的热也显著升高,这导致两个方面的负面影响,第一,热会传递到GMR薄膜层而使其在工作时温度升高,这会缩短其在电子迁移(EM)可靠性方面的工作寿命。第二,热会导致GMR写头极尖膨胀。如果极尖膨胀到突出气垫面就会与磁碟碰撞而导致功能失效。本文对这两个问题的机理进行了阐述,通过实验对问题进行了量化,并提出了解决这两个问题的措施.关键词:热,可靠性,高频,电子迁移。

华南理工大学工程硕士学位论文第一章绪论 S1GMR磁头应用简介 GMR(巨阻)磁头,作为一种读写磁头广泛地应用于现时计算机的主要外存储器硬盘(HDD)中,图1是一个HDD 记录通道的一般工作原理图,从中可以理解磁头在硬盘中所担任的角色.WriteData(Channel Bits) UU Head Input User Encorder Data Decoded Decoder Detector Analog Readback User Data 图1.