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- 专题
- 半导体激光器原理
- 类别
- 其他资料
- 页数
- 282页
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【半導體激光器原理】杜寶勳著兵器工業.pdf高功率半导体激光国家重点实验室 半导体激光器原理 杜宝勋著 兵器工业出版壮吉林大学高鼎三院士为本书题词 峨贺《半导体激光器原理》出版 培养高投术人才 愛展光电子享业 高鼎三2001前言 半导体激光器是以半导体材料为光增益介质的一类激光器,其核心是一个本身具有光 反馈结构的p-n结二极管芯片,因而通常称为激光二极管。由p-n结注入电流激发,在芯片 内产生受激辐射并建立起光振荡。半导体激光器与其它激光器相比,具有体积小、效率高、寿命长、可以直接调制、可以单片集成等优点。然而,输出功率较低、单色性和方向性较差.半导体激光器的应用,主要包括光纤通信、光盘存取、光谱分析和光信息处理等重要领域.而且,特别适用于激光夜视、激光引信、激光测距、激光雷达等军事应用。光增益介质只能 是直接带隙半导体,主要包括Ⅲ-V、IV-VI和ⅡI-VI族化合物及其固溶体材料。
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