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国内贸易部部编中等专业学校教材 电子线路(修订本)苗滨
和发射结正向压降UBE影响较 lc Pan功耗线 大,是使三极管工作时热稳定性 过 差的主要因素.工 损(一)对LcBo的影响 耗 LBo是集电区和基区少数载 区 流子,在集电结反向电场作用下,UCE 产生漂移运动所形成的,而少数 U(BR)CEO 载流子与环境温度有关,温度升 图1一19三极管安全工作区 高,由于热激发,少数载流子增 多,所以IcBo将随之增大。一般来说,温度每升高10℃,LcBo增大一 倍。锗管和硅管这种增长率虽然差别不大,但常温下锗管的IcBO 比硅管大得多,所以锗管热稳定性比硅管差得多。
人体电阳(a)判别基极(b)判别c、c电极 图1一22三极管管脚的判别 设,并按上述方法重复测试.2.判别发射极和集电极 利用三极管反向运用(集、发极对调使用)时的B值,远小于正 向运用时的3值特点,来区分它们.如图1一22(b)所示,将万用表欧姆档拨到R×1K或R×100K 档,再将两个表棒,分别接到待测的两个电极上,如果是NPN型 管,则再用手捏住或用嘴唇含住基极与黑表棒接的电极.如果是 PNP型管,则用手捏住或用嘴唇含住基极与红表棒接的电极,但两 极不能相碰,读取阻值,再交换表棒,重复上述测量。 